英研发新型存储器速度比闪存快百倍

2019-05-14 21:21:01 来源: 孝感信息港

新华社伦敦5月19日电英国研究人员近报告说,他们研发出一种基于电阻性记忆体的新型存储设备,与现在广泛使用的闪存相比,耗电量更低,而存取速度要快上1百倍。

电阻性记忆体的基础是忆阻材料,这类材料的特殊性在于,在外加电压时其电阻会产生变化,随后即便取消外加电压,它也能记住这个电阻值。在此基础上开发出的存储设备与现有闪存相比更快更节能,是业界近来的研发热点。但以前开发出的这种存储设备只能在高度真空环境中运行。

英国伦敦大学学院等机构研究人员日前在《应用物理学杂志》上报告说,他们发现可用硅的氧化物制作一种新的忆阻材料,相应存储设备可在常规环境下运行,因此应用价值大大提高。

研究人员安东尼凯尼恩说,这种新型存储装备的能耗只有闪存的约千分之一,而其存取速度是闪存的一百倍以上。闪存现在已成为人们随身携带的U盘、数码相机、等装备中广泛使用的存储设备。

据介绍,这项成果与科学史上许多发现一样都是源于意外。研究人员开始是在用硅氧化物制作发光二极管,但在实验过程中出了故障,发现所用材料的电学性质变得不稳定了,检查之后发现它们电阻在变化,缘由是已变成了忆阻材料,于是正好把它们转用于研发新型存储装备。

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